Université Dr. Moulay Tahar Saida Niveau : 1
er
année Master « ELT Ind/ RES Ele »
Faculté de Technologie TD N°02 Module : Electronique de Puissance Avancée
Département d'Electrotechnique
Exercice n°01
Un onduleur demi pont monophasé. A une résistance de charge et . La tension d’entrée
.
Les semi conducteurs sont considérés comme idéaux.
Le transistor T
1
est fermé de [0-T/2],
Le transistor T
2
est fermé de [T/2-T],
On donne
Tracer l’évolution de la tension
u(t) aux bornes de la charge
1- En déduire la valeur
efficace de cette
tension.
2- Déterminer
l’expression du fondamental u
f
(t). Calculer sa valeur efficace. Représenter cette tension u
f
(t).
3- On note que l’expression du courant est : . Le déphasage apparaissant entre
l’intensité du courant i(t) et le fondamental u
f
(t) vaut :
4- Préciser sur le graphe, les intervalles de conduction des semi conducteurs.
5- On note I
hn
et V
hn
les valeurs efficaces de l’harmonique de rang n du courant i(t) et de la tension v(t). Exprimer I
hn
en
fonction f
r
V
hn
, R, L, C, n et f.
Compléter alors le tableau suivant :
Harmoniques Vh
1
=V
f
Vh
3
Vh
5
Vh
7
Vh
9
Valeurs (V)
Harmoniques Ih
1
=I
f
Ih
3
Ih
5
Ih
7
Ih
9
Valeurs (A)
6- En remplacent la tension v(t) et l’intensité du courant i(t) par leur fondamentaux, donner l’expression de la puissance
active P consommée par la charge en fonction de V
f
, I
f
et .La calculer
Exercice N° 2
Un onduleur monophasé à demi pont. A une résistance de charge et la tension d’entrée .
Calculer :
La tension efficace de sortie à la fréquence fondamentale V
1
,
Les courants maximums et moyens de chaque transistor,
La distorsion harmonique totale, THD,
Chargée du Module :
Dr. CHERIFI
